TK17E65W,S1X

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Spezifikation

Artikelnummer

TK17E65W,S1X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK17E65W,S1X.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 900µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 8.7A, 10V
Verlustleistung (max)

165W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17.3A (Ta)

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Das Folgende sind "TK17E65W,S1X" -Einziper.

TK18E10K3,S1X(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK17E65W,S1X

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