TK16A60W,S4X

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Spezifikation

Artikelnummer

TK16A60W,S4X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK16A60W,S4X.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 790µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 7.9A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

TK16A60WS4X
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 15.8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15.8A (Ta)

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Das Folgende sind "TK16A60W,S4X" -Einziper.

TK16G60W,RVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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