SSM6N35AFE,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6N35AFE,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM6N35AFE,LF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse

ES6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Leistung - max

250mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SSM6N35AFE,LF(B
SSM6N35AFELF
SSM6N35AFELF(B
SSM6N35AFELF-ND
SSM6N35AFELFTR
Betriebstemperatur

150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

250mA (Ta)

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Das Folgende sind "SSM6N35AFE,LF" -Einziper.

SSM6N37FU,LF

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM6N35AFE,LF

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