SSM6L35FU(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6L35FU(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM6L35FU(TE85L,F).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

US6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 50mA, 4V
Leistung - max

200mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SSM6L35FU(TE85LF)CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180mA, 100mA

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Das Folgende sind "SSM6L35FU(TE85L,F)" -Einziper.

SSM6L16FETE85LF

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM6L35FU(TE85L,F)

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