SSM3J129TU(TE85L)

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3J129TU(TE85L)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SSM3J129TU(TE85L).pdf
2.SSM3J129TU(TE85L).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

UFM
Serie

U-MOSV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

3-SMD, Flat Leads
Andere Namen

SSM3J129TU(TE85L)DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 4.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.6A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM3J129TU(TE85L)" -Einziper.

SSM3J133TU,LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM3J129TU(TE85L)

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