SSM3J118TU(TE85L)

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3J118TU(TE85L)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM3J118TU(TE85L).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

UFM
Serie

U-MOSII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 650mA, 10V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

3-SMD, Flat Leads
Andere Namen

SSM3J118TU(TE85L)DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

137pF @ 15V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.4A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM3J118TU(TE85L)" -Einziper.

SSM3J114TU(T5L,T)

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM3J118TU(TE85L)

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