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HN1B04FU-Y,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

HN1B04FU-Y,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HN1B04FU-Y,LF.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ

NPN, PNP
Supplier Device-Gehäuse

US6
Serie

-
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

HN1B04FU-Y,LF(B
HN1B04FU-YLF
HN1B04FU-YLF(B
HN1B04FU-YLFTR
Betriebstemperatur

125°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

150MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

150mA

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Das Folgende sind "HN1B04FU-Y,LF" -Einziper.

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FU-Y,LF

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