HN1C01FU-GR,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

HN1C01FU-GR,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HN1C01FU-GR,LF.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ

2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

US6
Serie

-
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

HN1C01FU-GR(L,F,T)
HN1C01FU-GR,LF(B
HN1C01FU-GR,LF(T
HN1C01FU-GRLF
HN1C01FU-GRLF-ND
HN1C01FU-GRLFTR
HN1C01FUGRLFT
HN1C01FUGRLFTTR
HN1C01FUGRLFTTR-ND
Betriebstemperatur

125°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

80MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

200 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

150mA

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Das Folgende sind "HN1C01FU-GR,LF" -Einziper.

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FU-GR,LF

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