CRZ12(TE85L,Q,M)

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Spezifikation

Artikelnummer

CRZ12(TE85L,Q,M)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CRZ12(TE85L,Q,M).pdf
ECAD -Modell
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

12V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA
Toleranz

±10%
Supplier Device-Gehäuse

S-FLAT (1.6x3.5)
Serie

-
Leistung - max

700mW
Verpackung / Gehäuse

SOD-123F
Andere Namen

CRZ12(TE85LQM)
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

30 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 12V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 8V

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Das Folgende sind "CRZ12(TE85L,Q,M)" -Einziper.

CRZ24(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ12(TE85L,Q,M)

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