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2SC5201(T6MURATAFM

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Spezifikation

Artikelnummer

2SC5201(T6MURATAFM
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SC5201(T6MURATAFM.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

600V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 20mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-92MOD
Serie

-
Leistung - max

900mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Andere Namen

2SC5201T6MURATAFM
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 20mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

50mA

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Das Folgende sind "2SC5201(T6MURATAFM" -Einziper.

2SC5200N(S1,E,S)

Beschreibung: TRANS NPN 230V 15A TO-3PL

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SC5201(T6MURATAFM

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