2SC5200-O(Q)

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Spezifikation

Artikelnummer

2SC5200-O(Q)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SC5200-O(Q).pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

230V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-3P(L)
Serie

-
Leistung - max

150W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3PL
Andere Namen

2SC5200-0(Q)
2SC5200-O(Q)-ND
2SC5200-OQ
2SC5200OQ
Q2143132
SC5200-O (Q)
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

30MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P(L)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 1A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

5µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

15A
Basisteilenummer

2SC5200

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Das Folgende sind "2SC5200-O(Q)" -Einziper.

2SC5200N(S1,E,S)

Beschreibung: TRANS NPN 230V 15A TO-3PL

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SC5200-O(Q)

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