TC58BYG2S0HBAI6

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Spezifikation

Artikelnummer

TC58BYG2S0HBAI6
Hersteller / Marke

Kioxia America, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TC58BYG2S0HBAI6.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

25ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse

67-VFBGA (6.5x8)
Serie

Benand™
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

67-VFBGA
Andere Namen

TC58BYG2S0HBAI6JDH
TC58BYG2S0HBAI6YCL
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Zugriffszeit

25ns

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Das Folgende sind "TC58BYG2S0HBAI6" -Einziper.

TC58NVG0S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

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TC58BYG2S0HBAI6

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