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TC58CYG0S3HQAIE

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Spezifikation

Artikelnummer

TC58CYG0S3HQAIE
Hersteller / Marke

Kioxia America, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TC58CYG0S3HQAIE.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse

16-SOP
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Andere Namen

TC58CYG0S3HQAIEY0J
TC58CYG0S3HQAIEYCJ
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle

SPI
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI 104MHz 155µs 16-SOP
Uhrfrequenz

104MHz
Zugriffszeit

155µs

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "TC58CYG0S3HQAIE" -Einziper.

TC58BYG2S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG0S3HQAIE

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