TSM8N80CZ C0G

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM8N80CZ C0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM8N80CZ C0G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

40.3W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

TSM8N80CZ C0G-ND
TSM8N80CZC0G
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1921pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM8N80CZ C0G" -Einziper.

TSM8S-3.1G-160-TR

Beschreibung: SWITCH TACTILE

Hersteller: E-Switch

vorrätig

TSM8N80CZ C0G

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