TSM80N950CP ROG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM80N950CP ROG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM80N950CP ROG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

950 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

110W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TSM80N950CP ROGDKR
TSM80N950CP ROGDKR-ND
TSM80N950CPROGDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

691pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM80N950CP ROG" -Einziper.

TSM80N950CH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM80N950CP ROG

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