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TSM2302CX RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM2302CX RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM2302CX RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.5W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

TSM2302CX RFGCT
TSM2302CX RFGCT-ND
TSM2302CXRFGCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

587pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 3.9A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.9A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM2302CX RFG" -Einziper.

TSM1NB60SCT B0G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

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