TSM210N02CX RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM210N02CX RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM210N02CX RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.56W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

TSM210N02CX RFGTR
TSM210N02CX RFGTR-ND
TSM210N02CXRFGTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 6.7A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.7A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM210N02CX RFG" -Einziper.

TSM1N45DCS RLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM210N02CX RFG

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