TSM2309CX RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM2309CX RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM2309CX RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

1.56W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

TSM2309CX RFGCT
TSM2309CX RFGCT-ND
TSM2309CXRFGCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

425pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 3.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.1A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM2309CX RFG" -Einziper.

TSM2308CX RFG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

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