BZT52B6V8-G RHG

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Spezifikation

Artikelnummer

BZT52B6V8-G RHG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BZT52B6V8-G RHG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

6.8V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10mA
Toleranz

±2%
Supplier Device-Gehäuse

SOD-123
Serie

-
Leistung - max

410mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOD-123
Andere Namen

BZT52B6V8-G RHG-ND
BZT52B6V8-GRHG
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

15 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 6.8V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

2µA @ 4V

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Das Folgende sind "BZT52B6V8-G RHG" -Einziper.

BZT52B6V8-HE3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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BZT52B6V8-G RHG

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