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5620854FKV550T-Bild.Sanken Electric Co., Ltd.

FKV550T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FKV550T
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220F
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    35W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    FKV550T DK
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2700pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 50A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Ta)
NVMFS5C646NLWFT1G

NVMFS5C646NLWFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IPB80P04P4L04ATMA1

IPB80P04P4L04ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FKV550N

FKV550N

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
NTD4810N-35G

NTD4810N-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SUM110N04-03P-E3

SUM110N04-03P-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
AUIRF1405ZL

AUIRF1405ZL

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 150A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FQB2N50TM

FQB2N50TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BUK98150-55A,135

BUK98150-55A,135

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
FKV575

FKV575

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 75A TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
SI7452DP-T1-GE3

SI7452DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IPP45N06S3-16

IPP45N06S3-16

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 45A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IRFIBE30GPBF

IRFIBE30GPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RJU003N03T106

RJU003N03T106

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
AO3420L

AO3420L

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23-3

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
BSO080P03NS3GXUMA1

BSO080P03NS3GXUMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD50R800CEATMA1

IPD50R800CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N CH 500V 5A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
TSM60N900CI C0G

TSM60N900CI C0G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SSM6K514NU,LF

SSM6K514NU,LF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A 6-UDFNB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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