BUZ10

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Spezifikation

Artikelnummer

BUZ10
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 50V 23A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

BUZ10.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

75W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

497-2728-5
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 50V 23A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Tc)

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Das Folgende sind "BUZ10" -Einziper.

BUZ31 E3046

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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