International Rectifier (Infineon Technologies)

BUZ31 E3045A

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Spezifikation

Artikelnummer

BUZ31 E3045A
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

BUZ31 E3045A.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 9A, 5V
Verlustleistung (max)

95W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

BUZ31 E3045A-ND
BUZ31E3045A
BUZ31E3045AT
SP000011343
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1120pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14.5A (Tc)

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Das Folgende sind "BUZ31 E3045A" -Einziper.

BUZ31

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BUZ31 E3045A

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