International Rectifier (Infineon Technologies)

BUZ31L

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Spezifikation

Artikelnummer

BUZ31L
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BUZ31L.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO-220-3
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 7A, 5V
Verlustleistung (max)

95W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

BUZ31L-ND
BUZ31LIN
BUZ31LX
BUZ31LXK
SP000011342
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.5A (Tc)

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Das Folgende sind "BUZ31L" -Einziper.

BUZ31 H3045A

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BUZ31L

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