PDTD113ZTVL

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTD113ZTVL
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTD113ZTVL.pdf
ECAD -Modell
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-236AB
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

934058981235
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 500mA Surface Mount TO-236AB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Das Folgende sind "PDTD113ZTVL" -Einziper.

PDTD113ES,126

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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