PDTD114EQAZ

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTD114EQAZ
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTD114EQAZ.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

DFN1010D-3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

325mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-XDFN Exposed Pad
Andere Namen

934069269147
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

210MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 210MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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2024/10/9

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PDTD123ET,215

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia

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