PDTD113EK,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTD113EK,115
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTD113EK,115.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SMT3; MPAK
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

250mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

934058965115
PDTD113EK T/R
PDTD113EK T/R-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

33 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA
Basisteilenummer

PDTD113

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Das Folgende sind "PDTD113EK,115" -Einziper.

PDTD113ZK,115

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

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