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PSMN8R0-30YL,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN8R0-30YL,115
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK56, Power-SO8
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

56W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen

568-6904-1
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1005pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 62A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

62A (Tc)

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Das Folgende sind "PSMN8R0-30YL,115" -Einziper.

PSMN8R2-80YS,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

PSMN8R0-30YL,115

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