PSMN7R5-30YLDX

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN7R5-30YLDX
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN7R5-30YLDX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK56, Power-SO8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

34W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen

1727-1795-2
568-11378-2
568-11378-2-ND
934067967115
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

655pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 51A (Tj) 34W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

51A (Tj)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PSMN7R5-30YLDX" -Einziper.

PSMN7R0-100XS,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 55A TO220F

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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