PSMN8R5-100PSFQ

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN8R5-100PSFQ
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN8R5-100PSFQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

183W (Ta)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

934070402127
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3181pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 98A (Ta) 183W (Ta) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

98A (Ta)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PSMN8R5-100PSFQ" -Einziper.

PSMN8R0-40BS,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK

Hersteller: Nexperia

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