PHM30NQ10T,518

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Spezifikation

Artikelnummer

PHM30NQ10T,518
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHM30NQ10T,518.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-HVSON (6x5)
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)

62.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-VDFN Exposed Pad
Andere Namen

934057308518
PHM30NQ10T /T3
PHM30NQ10T /T3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 37.6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

37.6A (Tc)

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Das Folgende sind "PHM30NQ10T,518" -Einziper.

STD30PF03L-1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 24A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

PHM30NQ10T,518

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