TPC8A06-H(TE12LQM)

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Spezifikation

Artikelnummer

TPC8A06-H(TE12LQM)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPC8A06-H(TE12LQM).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.1 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen

TPC8A06HTE12LQM
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Body)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 12A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Ta)

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Das Folgende sind "TPC8A06-H(TE12LQM)" -Einziper.

TPC8223-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPC8A06-H(TE12LQM)

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