PHM18NQ15T,518

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Spezifikation

Artikelnummer

PHM18NQ15T,518
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHM18NQ15T,518.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-HVSON (6x5)
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

62.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-VDFN Exposed Pad
Andere Namen

934057306518
PHM18NQ15T /T3
PHM18NQ15T /T3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 19A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Tc)

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Das Folgende sind "PHM18NQ15T,518" -Einziper.

PHM15NQ20T,518

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PHM18NQ15T,518

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