JANTXV2N6352

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N6352
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N6352.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

80V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 5mA, 5A
Transistor-Typ

NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse

TO-66 (TO-213AA)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/472
Leistung - max

2W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-213AA, TO-66-2
Andere Namen

1086-16203
1086-16203-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 5A 2W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

2000 @ 5A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

5A

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Das Folgende sind "JANTXV2N6352" -Einziper.

JANTXV2N6383

Beschreibung: TRANS NPN DARL 40V 10A TO3

Hersteller: Microsemi

vorrätig

JANTXV2N6352

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