JANTXV2N6351

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N6351
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N6351.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

150V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 10mA, 5A
Transistor-Typ

NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse

TO-33
Serie

Military, MIL-PRF-19500/472
Leistung - max

1W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
Andere Namen

1086-16201
1086-16201-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150V 5A 1W Through Hole TO-33
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

1000 @ 5A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

5A

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Das Folgende sind "JANTXV2N6351" -Einziper.

1SMB5913BT3G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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