JANTXV2N6300

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N6300
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN DARL 60V 8A TO66
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N6300.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 80mA, 8A
Transistor-Typ

NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse

TO-66 (TO-213AA)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/539
Leistung - max

75W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-213AA, TO-66-2
Andere Namen

1086-21102
1086-21102-MIL
Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 8A 75W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

750 @ 4A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

8A

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Das Folgende sind "JANTXV2N6300" -Einziper.

1206J5000391MDR

Beschreibung: CAP CER 390PF 500V X7R 1206

Hersteller: Knowles Syfer

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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