APTM100DDA35T3G

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM100DDA35T3G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM100DDA35T3G.pdf
2.APTM100DDA35T3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V
Leistung - max

390W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP3
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V (1kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A

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Das Folgende sind "APTM100DDA35T3G" -Einziper.

APTM100DA40T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM100DDA35T3G

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