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2164271APT60GT60BRG-Bild.Microsemi

APT60GT60BRG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT60GT60BRG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 100A 500W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 60A
  • Testbedingung
    -
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    26ns/395ns
  • Schaltenergie
    3.4mJ
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    Thunderbolt IGBT®
  • Leistung - max
    500W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Andere Namen
    APT60GT60BRGMI
    APT60GT60BRGMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    275nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 600V 100A 500W Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    360A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100A
APT60DS10HJ

APT60DS10HJ

Beschreibung: MOD DIODE 100V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 149A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GA60JD60

APT60GA60JD60

Beschreibung: IGBT 600V 112A 356W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GF60JU3

APT60GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JVR

APT60M75JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JLL

APT60M75JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60GF60JU2

APT60GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60DS04HJ

APT60DS04HJ

Beschreibung: MOD DIODE 400V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60DS20HJ

APT60DS20HJ

Beschreibung: MOD DIODE 200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60DQ120LCTG

APT60DQ120LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60DQ60BCTG

APT60DQ60BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M60JLL

APT60M60JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60DQ60BG

APT60DQ60BG

Beschreibung:

Hersteller: Microsemi
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APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
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APT60GT60JR

APT60GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
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APT60M60JFLL

APT60M60JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

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