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5910056APT200GT60JR-Bild.Microsemi

APT200GT60JR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT200GT60JR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 195A ISOTOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 200A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    Thunderbolt IGBT®
  • Leistung - max
    500W
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    8.65nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Single 600V 195A 500W Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    25µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    195A
  • Konfiguration
    Single
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

Beschreibung: LED ORANGE CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT19F100J

APT19F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012LZGCK

APT2012LZGCK

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT2012P3BT

APT2012P3BT

Beschreibung: PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Beschreibung: LED RED CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT2012LSYCK/J3-PRV

APT2012LSYCK/J3-PRV

Beschreibung: LED YELLOW CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT200GN60J

APT200GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT19M120J

APT19M120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18M80S

APT18M80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18M80B

APT18M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012LVBC/D

APT2012LVBC/D

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT2012EC

APT2012EC

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT18M100B

APT18M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012F3C

APT2012F3C

Beschreibung: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT2012MGC

APT2012MGC

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
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