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5566431APT18M80S-Bild.Microsemi

APT18M80S

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT18M80S
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D3Pak
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    530 mOhm @ 9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    500W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3760pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    19A (Tc)
APT18M100B

APT18M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT19M120J

APT19M120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18F60B

APT18F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18F60S

APT18F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT19F100J

APT19F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 195A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012EC

APT2012EC

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT17F80B

APT17F80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT17F120J

APT17F120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
APT200GN60J

APT200GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT17F80S

APT17F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18M80B

APT18M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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