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5245175APT200GN60B2G-Bild.Microsemi

APT200GN60B2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT200GN60B2G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 283A 682W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 200A
  • Testbedingung
    400V, 200A, 1 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    50ns/560ns
  • Schaltenergie
    13mJ (on), 11mJ (off)
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    682W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Andere Namen
    APT200GN60B2GMI
    APT200GN60B2GMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    1180nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    600A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    283A
APT18F60S

APT18F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012EC

APT2012EC

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
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APT2012F3C

APT2012F3C

Beschreibung: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
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APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18M80S

APT18M80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Hersteller: Microsemi
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APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

Beschreibung: LED ORANGE CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
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APT18M80B

APT18M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT19M120J

APT19M120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Hersteller: Microsemi
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APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Beschreibung: LED RED CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
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APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT18M100B

APT18M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
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APT18F60B

APT18F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
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APT200GT60JR

APT200GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 195A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60J

APT200GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT19F100J

APT19F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Hersteller: Microsemi
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APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Hersteller: Microsemi
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