Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N6626US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
7478061N6626US-Bild.Microsemi

1N6626US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$12.816
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6626US
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.35V @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    220V
  • Supplier Device-Gehäuse
    A-MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 220V 1.75A Surface Mount A-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2µA @ 220V
  • Strom - Richt (Io)
    1.75A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz
1N6630

1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6624

1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6629US

1N6629US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6631

1N6631

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6626

1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6624US

1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6623

1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6631US

1N6631US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6628US

1N6628US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6622US

1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6629

1N6629

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6622

1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6625

1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6623US

1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6625US

1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6628

1N6628

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6627

1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6625E3

1N6625E3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N6630US

1N6630US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6627US

1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden