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1N6623US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6623US
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.55V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    880V
  • Supplier Device-Gehäuse
    A-MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 880V 1A Surface Mount A-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 880V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz
1N6626

1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6624

1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6620

1N6620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6623

1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6626US

1N6626US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6627US

1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6549

1N6549

Beschreibung: DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6621

1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6624US

1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6622US

1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6547

1N6547

Beschreibung: DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6625E3

1N6625E3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N6625

1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6621US

1N6621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6625US

1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6548

1N6548

Beschreibung: DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6628

1N6628

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6620US

1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6627

1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6622

1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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