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9595141N6625E3-Bild.Microsemi Corporation

1N6625E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6625E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    A, Axial
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    A, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    80ns
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1N6625E3
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
  • Diodenkonfiguration
    1µA @ 1000V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.95V @ 1.5A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    1100V (1.1kV)
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C
1N6629

1N6629

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6625US

1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6625

1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6630

1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6627

1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6628

1N6628

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6626

1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6628US

1N6628US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6620US

1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6622

1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6627US

1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6629US

1N6629US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6623

1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6622US

1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6624US

1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6621US

1N6621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6624

1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6623US

1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6626US

1N6626US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6621

1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
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