LN60A01ES-LF

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Spezifikation

Artikelnummer

LN60A01ES-LF
Hersteller / Marke

Monolithic Power Systems
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 Ohm @ 10mA, 10V
Leistung - max

1.3W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-20°C ~ 125°C (TJ)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

3 N-Channel, Common Gate
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80mA

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Das Folgende sind "LN60A01ES-LF" -Einziper.

LN66F

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA

Hersteller: Panasonic

vorrätig

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