CSD19535KTTT

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Spezifikation

Artikelnummer

CSD19535KTTT
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DDPAK/TO-263-3
Serie

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Andere Namen

296-41135-1
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7930pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200A (Ta)

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Das Folgende sind "CSD19535KTTT" -Einziper.

CSD19532Q5BT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A VSON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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