CSD19532Q5BT

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Spezifikation

Artikelnummer

CSD19532Q5BT
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 100A VSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-VSON-CLIP (5x6)
Serie

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 195W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

296-44471-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4810pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Ta)

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CSD19533Q5A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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