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Spezifikation

Artikelnummer

CSD19533Q5AT
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-VSONP (5x6)
Serie

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

3.2W (Ta), 96W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

296-44472-2
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2670pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Ta)

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Das Folgende sind "CSD19533Q5AT" -Einziper.

CSD19536KTTT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

vorrätig

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