UMD4NTR

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Spezifikation

Artikelnummer

UMD4NTR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.UMD4NTR.pdf
2.UMD4NTR.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

UMT6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms, 10 kOhms
Leistung - max

150mW, 120mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

*MD4

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Das Folgende sind "UMD4NTR" -Einziper.

UMD3NTR

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

UMD4NTR

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