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UMD2NTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UMD2NTR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.UMD2NTR.pdf
    2.UMD2NTR.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    22 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    56 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MD2

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Das Folgende sind "UMD2NTR" -Einziper.
UMD22NTR

UMD22NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMD6NTR

UMD6NTR

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSVB143TPDXV6T1G

NSVB143TPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMD5NTR

UMD5NTR

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN4606(TE85L,F)

RN4606(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
EMF21-7

EMF21-7

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
UMD12NTR

UMD12NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMD9NTR

UMD9NTR

Beschreibung:

Hersteller: ROHM
vorrätig
RFQ
UMD3NTR

UMD3NTR

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBC114TDXV6T1G

NSBC114TDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UP0421000L

UP0421000L

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DCX144EU-7

DCX144EU-7

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NSBC143TPDXV6T1

NSBC143TPDXV6T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN4984FE,LF(CB

RN4984FE,LF(CB

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MUN5332DW1T1G

MUN5332DW1T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMD4NTR

UMD4NTR

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FMA10AT148

FMA10AT148

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
PUMD12,135

PUMD12,135

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
RN1901,LF(CT

RN1901,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ

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