UMD3NTR

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Spezifikation

Artikelnummer

UMD3NTR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.UMD3NTR.pdf
2.UMD3NTR.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

UMT6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

UMD3NCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

*MD3

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Das Folgende sind "UMD3NTR" -Einziper.

FMC3AT148

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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